图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:60000 |
|
最小起订量:1 美国加州 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 5LN01S |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 50V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 100mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 7.8 Ohm @ 50mA, 4V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | - |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 1.57nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 6.6pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 150mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SC-75, SOT-416 |
| 供应商器件封装 | SMCP |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 100mA (Ta) |
| 封装/外壳 | SC-75, SOT-416 |
| 供应商设备封装 | SMCP |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 7.8 Ohm @ 50mA, 4V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 150mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 50V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 6.6pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 1.57nC @ 10V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 0.1 A |
| RDS（ON） | 7.8 Ohms |
| 功率耗散 | 0.15 W |
| 漏源击穿电压 | 50 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
5LN01S-TL-E也可以通过以下分类找到
5LN01S-TL-E相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
